長江有色金屬網(wǎng) > 資訊首頁 > 評論分析 > 半導(dǎo)體板塊強勢上攻 行業(yè)新變局來了?

半導(dǎo)體板塊強勢上攻 行業(yè)新變局來了?

   來源:

8月22日半導(dǎo)體板塊開盤上攻,技術(shù)端突破成為核心驅(qū)動力之一。當(dāng)日發(fā)布的DeepSeek-V3.1明確采用UE8M0 FP8 Scale參數(shù)精度,該技術(shù)專為下一代國產(chǎn)芯片設(shè)計。FP8(8位浮點數(shù))作為深度學(xué)習(xí)訓(xùn)練與推理的新型精度標(biāo)準(zhǔn),相較FP32(32位)、FP16(16位)技術(shù),可大幅降低顯存占用與計算資源需求,同時通過動態(tài)范圍調(diào)整保持高精度,顯著提升國產(chǎn)芯片使用效率,助力縮小與國際領(lǐng)先芯片(如NV)在效率與成本上的差距。

技術(shù)突破:FP8標(biāo)準(zhǔn)賦能國產(chǎn)芯片效率躍升
8月22日半導(dǎo)體板塊開盤上攻,技術(shù)端突破成為核心驅(qū)動力之一。當(dāng)日發(fā)布的DeepSeek-V3.1明確采用UE8M0 FP8 Scale參數(shù)精度,該技術(shù)專為下一代國產(chǎn)芯片設(shè)計。FP8(8位浮點數(shù))作為深度學(xué)習(xí)訓(xùn)練與推理的新型精度標(biāo)準(zhǔn),相較FP32(32位)、FP16(16位)技術(shù),可大幅降低顯存占用與計算資源需求,同時通過動態(tài)范圍調(diào)整保持高精度,顯著提升國產(chǎn)芯片使用效率,助力縮小與國際領(lǐng)先芯片(如NV)在效率與成本上的差距。
國產(chǎn)廠商已率先布局FP8生態(tài):摩爾線程基于MUSA Compute Capability 3.1架構(gòu),成為首個支持原生FP8計算的國產(chǎn)GPU廠商;芯原股份的VIP9000 NPU芯片亦支持FP8技術(shù),可加速云端訓(xùn)練至硬件的快速部署。UE8M0 FP8技術(shù)的落地,有望推動國產(chǎn)AI芯片全生態(tài)閉環(huán)加速形成。
政策環(huán)境:中美博弈下供應(yīng)鏈挑戰(zhàn)持續(xù)
盡管中美貿(mào)易摩擦階段性緩和,但半導(dǎo)體行業(yè)仍面臨多重政策限制。關(guān)稅層面,美國2025年將部分“戰(zhàn)略性半導(dǎo)體產(chǎn)品”關(guān)稅從25%提升至50%,覆蓋多晶硅、硅晶圓等太陽能電池原料;雖5月《中美日內(nèi)瓦經(jīng)貿(mào)會談聯(lián)合聲明》承諾取消部分商品加征關(guān)稅(如特定存儲芯片、光模塊需提交原產(chǎn)地證明恢復(fù)常規(guī)關(guān)稅),但先進制程技術(shù)出口管制未放松——EUV光刻機及16/14nm以下制程技術(shù)對華出口仍受BIS嚴(yán)格審批(周期6-12個月)。此外,高帶寬存儲器(HBM)、300億晶體管以上AI芯片被列入“實體清單”,直接限制其進入中國市場。
材料依賴:關(guān)鍵金屬供應(yīng)風(fēng)險需警惕
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對關(guān)鍵金屬材料高度依賴,供應(yīng)鏈穩(wěn)定性成發(fā)展隱憂。硅作為晶圓制造基石,其純度與質(zhì)量要求隨技術(shù)進步持續(xù)提升;多晶硅(太陽能電池原料)亦受美國關(guān)稅政策波及。稀有金屬方面,鎵(用于砷化鎵、氮化鎵等化合物半導(dǎo)體,支撐5G、雷達等領(lǐng)域)與鍺(用于光纖、紅外光學(xué)器件及部分半導(dǎo)體器件)的供應(yīng)與價格易受全球政經(jīng)形勢影響,構(gòu)建多元化供應(yīng)鏈體系已成為行業(yè)降風(fēng)險的關(guān)鍵舉措。
未來展望:創(chuàng)新驅(qū)動與供應(yīng)鏈韌性成破局關(guān)鍵
展望后市,半導(dǎo)體行業(yè)在AI、物聯(lián)網(wǎng)、5G等新興技術(shù)驅(qū)動下需求持續(xù)擴張:AI大模型訓(xùn)練與推理的算力需求呈指數(shù)級增長,推高AI芯片市場規(guī)模;物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備激增(從消費端到工業(yè)端)亦擴大芯片應(yīng)用場景。但行業(yè)同時面臨技術(shù)創(chuàng)新難度加大、國際競爭加劇、貿(mào)易政策波動等挑戰(zhàn)。

(注:本文為原創(chuàng)分析,核心觀點基于公開信息及市場推導(dǎo),以上觀點僅供參考,不做為入市依據(jù) )長江有色金屬網(wǎng)
 

【免責(zé)聲明】:凡注明文章來源為“長江有色金屬網(wǎng)”的文章,均為長江有色金屬網(wǎng)原創(chuàng),版權(quán)歸本網(wǎng)站所有,任何媒體、網(wǎng)站或個人未經(jīng)本網(wǎng)站書面授權(quán)不得轉(zhuǎn)載。凡本網(wǎng)注明來源:“XXX(非長江有色金屬網(wǎng))”的文章,均轉(zhuǎn)載自網(wǎng)絡(luò),版權(quán)歸原作者及其公司所有。本站已盡可能對作者和來源進行了標(biāo)注,若有疏忽造成漏登,請及時與我們聯(lián)系,我們將根據(jù)著作權(quán)人的要求,立即更正或刪除有關(guān)內(nèi)容。本網(wǎng)站所發(fā)布的文章目的在于傳遞更多信息,并不構(gòu)成任何投資及應(yīng)用建議。

半導(dǎo)體