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三星HBM3E芯片遇阻英偉達(dá)驗(yàn)證關(guān)口,2026年戰(zhàn)略或迎重大轉(zhuǎn)向
2025-05-28 來源: 長(zhǎng)江有色金屬網(wǎng) 發(fā)布人: tongwj
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摘要: 全球存儲(chǔ)芯片巨頭三星電子正面臨關(guān)鍵技術(shù)驗(yàn)證的生死時(shí)速。據(jù)韓國(guó)業(yè)界消息,三星目標(biāo)在2025年7月至8月間通過英偉達(dá)對(duì)12層HBM3E(高帶寬內(nèi)存)芯片的品質(zhì)驗(yàn)證測(cè)試,若未能如期達(dá)標(biāo),其2026年HBM產(chǎn)品線戰(zhàn)略或?qū)⒈黄却蠓拚?,甚至可能徹底放棄HBM3E,轉(zhuǎn)而押注下一代HBM4技術(shù)。
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